1. Диоды, создающие некогерентное световое излучение в диапазоне 0.45 – 0.68 мкм называются …
2. … — объединенные в одном корпусе свето- и фотодиоды
3. Если по каким-то причинам из кристаллической решётки Si будет «выбит» электрон, то на его месте образуется … заряженная «дырка»
4. Трёхслойный полупроводниковый прибор с двумя p-n-переходами для усиления входного сигнала называется …
5. … транзисторы представляют собой тонкую пластинку слаболегированного германия или кремния с электронной или дырочной проводимостью, на которой методом вплавления или диффузии получены два электронно-дырочных перехода.
6. … транзистор — это полупроводниковый прибор, ток которого управляется электрическим полем и который предназначен для усиления электрических сигналов
7. … — трехэлектродный полупроводниковый управляемый прибор с тремя p-n-переходами и двумя устойчивыми соединениями.
8. Триодные тиристоры только с управляемым включением называются …
9. … — это приборы, которые могут проводить ток в обе стороны, то есть это не что иное, как два тиристора включенных параллельно
10. Включение тиристора посредством подключения его к выводам какого-либо источника энергии, создающего в нём ток обратного направления называется …
11. Полупроводниковые диоды, предназначенные для использования их ёмкости:
12. Диоды, в которых при поглощении световых квантов образуются новые носители зарядов
13. В результате непосредственного воздействия на кристаллическую решётку полупроводника в области p-n-перехода сильного электрического поля возникает:
14. В результате столкновения носителей заряда с атомами кристаллической решётки в области перехода, сопровождающегося процессом ионизации атомов, приводящий к разрыву ковалентных связей
15. В следствие процесса разогрева полупроводникового p-n-перехода при прохождении обратного тока появляется:
16. Из-за дефектов кристаллической решётки в области выхода полупроводникового перехода на поверхность кристалла появляется:
17. Развитие полупроводниковых приборов и микротехнологии привело к созданию интегральных схем, содержащих … и более полупроводниковых элементов в 1 см3.
18. Совокупность устройств и объектов, образующих путь для электрического тока электромагнитные процессы в которых могут быть описаны с помощью математических зависимостей, электродвижущей силы, тока и напряжения
19. Преобразуют химическую, механическую, тепловую, световую и другие виды энергии в электричество
20. Устройство, осуществляющее обработку цифровой информации и управляющее этим процессом, выполненное в виде одной или нескольких интегральных микросхем (ИМС) называется:
21. Провода относятся к:
22. Выключатели, коммутаторы, предохранители относятся к:
23. Участок электрической цепи, по элементам которой протекает один и тот же ток
24. Место соединения трёх и более ветвей схемы
25. Замкнутый путь, проходящий через несколько ветвей и узлов схемы
26. Часть электрической цепи с двумя выделенными полюсами-зажимами, с помощью которых она соединяется с другой частью схемы
27. Вычислительно-управляющее устройство, предназначенное для выполнения функций логического контроля и управления различными техническими объектами, и сочетающее в себе микропроцессорное ядро и набор встроенных устройств ввода-вывода
28. Математическая модель реального устройства, учитывающая происходящие в нём физические процессы – это …
29. Основной единицей мощности в системе СИ является:
30. Для расчётов линейных цепей часто применяется … , который может быть применён ко всем электрическим цепям, описываемым линейными уравнениями.
