1. Корректность работы электрооборудования, особенно в промышленных масштабах, напрямую зависит от соблюдения стандартных значений частоты. Поэтому Россия, как и многие другие страны, строго придерживается стандарта для обеспечения стабильного и безопасного функционирования своей электросети и подключенного к ней оборудования. Какая частота переменного электрического тока принята в Российской Федерации?
2. В 1960-х годах произошло важное событие в истории электроники — были созданы устройства, которые стали основой для дальнейшего развития этой области. Какое событие связано с этим периодом?
3. В 1970-х годах, когда вычислительная техника стремительно развивалась, на рынке появилась потребность в более компактных и производительных устройствах для обработки данных. Ранее применяемые интегральные схемы и транзисторы занимали много места и требовали сложных конструкций для использования в компьютерах, что ограничивало их применение в различных областях, включая образование, бизнес и науку. Что было разработано фирмой Intel в этом промежутке времени?
4.
5. Одним из основных параметров таких диодов является чувствительность по току (отношение приращения выпрямленного тока при заданной нагрузке в выходной цепи диода к мощности СВЧ-сигнала, подводимой ко входу диодной камеры с таким диодом в рабочем режиме и вызвавшей это приращение). Чувствительность по току этого диода зависит от постоянного прямого тока смещения. Наибольшие значения чувствительности по току обычно получаются при прямом токе смещения в несколько десятков микроампер. Назовите диод, о котором говорится в описании.
6. В таком диоде используется не р-n-переход, а выпрямляющий контакт металл-полупроводник. Энергетические уровни, соответствующие зоне проводимости, в полупроводнике заполнены больше, чем в металле. Поэтому после соединения металла и полупроводника часть электронов перейдет из полупроводника в металл. Это приведет к уменьшению концентрации электронов в полупроводнике n-типа. Возникнет область полупроводника, обедненная свободными носителями электричества и обладающая повышенным удельным сопротивлением. В области перехода появятся объемные заряды и образуется потенциальный барьер, препятствующий дальнейшему переходу электронов из полупроводника в металл. Назовите диод, о котором говорится в описании.
7. В соответствии с ОСТ 11 336.038-77, система обозначений полупроводниковых биполярных транзисторов основывается на семизначном буквенно-цифровом коде. Что является первым элементом этого кода? Что он обозначает?
8. Классификация биполярных транзисторов осуществляется по нескольким критериям. Одним из основных признаков является рассеиваемая мощность. В зависимости от этого параметра, выделяют маломощные, средней мощности и мощные биполярные транзисторы. Укажите величину рассеиваемой мощности маломощных биполярных транзисторов.
9. В соответствии с ОСТ 11 336.038-77, для идентификации биполярных транзисторов используется семизначный код, состоящий из букв и цифр. Что является последним, седьмым элементом этого кода? Что он обозначает?
10. У полевого транзистора с управляющим р-n переходом максимальный ток стока равен 1мА, а напряжение отсечки — 4В. Какой ток будет протекать при обратном напряжении смещения затвор-исток, равном 2В?
11. У полевого транзистора с управляющим р-n переходом максимальный ток стока равен 1мА, а напряжение отсечки — 4В. Чему равна крутизна при обратном напряжении смещения затвор-исток, равном 2В?
12. В усилительном каскаде с общим истоком сопротивление нагрузки равно 20 кОм. Эффективное входное сопротивление полевого транзистора составляет 20 кОм, а рабочая крутизна — 2 мА/В. Определите коэффициент усиления каскада?
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19. В электронном устройстве блок управления получает сигнал от датчика, амплитуда которого равна 10 мВ. Блок управления усиливает этот сигнал в 50 раз. Необходимо определить, какой будет амплитуда выходного сигнала блока управления в мВ после усиления.
20. В одном электронном устройстве датчик температуры генерирует сигнал с напряжением 0,5 В при температуре 20 °C и 4 В при температуре 100 °C. Определите коэффициент чувствительности этого датчика (мВ/°C)?
21. Микроконтроллер, функционирующий на частоте 16 МГц, для выполнения одной операции требует двух тактов. Сколько операций способен осуществить этот микроконтроллер за одну миллисекунду?
22.
23.
24.
25.
26.
27.
28.
29.
30.
31.
32.
33.
34. Устройство, в котором энергия передаётся на выход только в течение одной части периода преобразования, называется однотактным преобразователем …
35. Полупроводниковое устройство, в основе которого лежат свойства статического индукционного транзистора (СИТ), представляющего собой полевой транзистор с управляющим p-n-переходом, называют …на статическом индукционном транзисторе
36. Устройство, в котором энергия, запасённая в индуктивности при замкнутом состоянии ключа, передаётся на выход в паузе, то есть, когда ключевой транзистор заперт, называют … однотактным преобразователем напряжения
37. Устройство, в котором энергия передаётся в нагрузку в момент замкнутого состояния ключевого транзистора, называют … однотактным преобразователем напряжения
38. Использование силовых ключей … КПД электродвигателя
39. Для управления силовыми ключами в инверторных системах применяют …
40. В системах рекуперации энергии используют такой прибор, как …
41. … — прибор, который чаще всего используется в системе преобразования частоты
42. Установите соответствие между названием полупроводникового ключа и их определением:
43. Расположите последовательность действий при выборе приборов для систем управления электродвигателями.
44.
45. Гибридные силовые приборы, объединяющие высокоскоростные IGBT ключи и оптимизированные драйверы управления затвором со схемами защиты, называются … силовыми модулями
46. Защитное устройство, предназначенное для аварийного отключения напряжения при перегрузке сети или коротком замыкании, называют … выключателем
47. Автоматический выключатель одноразового действия, который отключает источник питания при возникновении неисправности, называют … предохранителем
48. Специальные цепочки, обеспечивающие безопасность работы силовых модулей и предотвращение повреждений, называются … цепями силовых модулей
49. Для надежности силовых полупроводниковых ключей наиболее критичным фактором является …
50. Основная цель защиты силовых полупроводниковых ключей – …
51. Активной защитой силовых полупроводниковых ключей является …
52. Наиболее часто защита от перенапряжений осуществляется посредством …
53. Установите соответствие между названием явлений при работе силовых полупроводниковых ключей и его определением:
54. Определите последовательность этапов разработки силовых полупроводниковых ключей для уменьшения паразитных индуктивностей:
55.
56. Устройство, которое обеспечивает полный комплекс защит для безопасной работы силового ключа называется … драйвером
57. Изменение по определённому закону параметров последовательности импульсных сигналов для передачи информации принято называть … модуляцией
58. Системы автоматического управления, которые, получая произвольные сигналы, повторяют их с заданной точностью принято называть асинхронной системой … типа
59. Система в которой моменты формирования импульсов управления всегда синхронизированы с напряжением сети, к которой подключается ключ, называется синхронной системой с … управлением
60. Ключевой режим транзистора характеризуется двумя состояниями, такими как …
61. За фильтрацию сигналов отвечает такой элемент системы управления силовыми ключами, как …
62. MOSFET силовой ключ полностью открывается в …
63. Скорость срабатывания силового ключа определяет …
64. Установите соответствие между названиями драйверов и их определением:
65.
66.
67. Специальная интегральная схема выходных усилителей необходимая для цепей управления мощными полупроводниковыми ключами называется …
68. Формирователи импульсов управления с разделением функций импульсов управления и информации по мощности принято называть … драйверами
69. Часть системы управления преобразователем, которая формирует логику входных сигналов силовых ключей, а затем усиливают до требуемого уровня тока и напряжения принято называть … импульсов управления
70. Полностью управляемый полупроводниковый ключ, который отпирается и закрывается по сигналу, подаваемому на управляющий электрод, называется … тиристором
71. … формирователя импульсов определяет ширину импульса
72. … тип формирователей импульсов управляет длительностью импульсов на основе входного сигнала
73. … может генерировать формирователь импульсов
74. Неверно, что … является характеристикой формирователя импульсов
75. Установите соответствие между типами формирователей импульсов управления с их функциями и принципами работы:
76. Расположите элементы источника вторичного электропитания в последовательности преобразования напряжения:
77.
78. Устройство, предназначенное для управления мощностью и интегрированное с функциями обработки сигналов на одном чипе, называют интеллектуальной … интегральной схемой
79. Блок … — это блок, содержащий датчики регулируемых и контролируемых параметров, а сигналы с этих датчиков поступают на регулятор, в функции которого входит формирование закона управления элементами силовой части
80. Блок формирователей … управления — это блок, который компонует необходимые по форме, амплитуде и длительности импульсы управления, которые поступают на силовые элементы
81. Блок … источников питания обеспечивает энергией собственные нужды системы, адаптируя напряжение силовых цепей для питания элементов управления
82. Интеллектуальные силовые интегральные схемы чаще всего используются в …
83. … позволяют адаптировать параметры работы в реальном времени
84. В интеллектуальных силовых интегральных схемах часто используется … напряжение
85. Для улучшения быстродействия интеллектуальной силовой интегральной схемы …
86. Установите соответствие между названием модуляции и его определением:
87. Расположите основные этапы работы структурной схемы системы управления (СУ) электронного аппарата в хронологической последовательности:
88. В электронном устройстве блок управления получает сигнал от датчика, амплитуда которого равна 10 мВ. Блок управления усиливает этот сигнал в 50 раз. Необходимо определить, какова будет амплитуда выходного сигнала блока управления в мВ после усиления.
89. Биполярный транзистор с … затвором — это полностью управляемый полупроводниковый прибор, в основе которого трёхслойная структура
90. Биполярный транзистор со … индукцией — это нормально закрытый транзистор со статической индукцией с вертикальным каналом, управляемый током и имеющий входные и выходные характеристики похожие на характеристики обычного биполярного транзистора
91. Основной параметр, который необходимо учитывать при выборе силовых полупроводников для индуктивных нагрузок — это … переключения
92. В биполярном транзисторе, когда базовый ток превышает пороговое значение устройство становится …
93. Преимущество IGBT по сравнению с традиционными транзисторами, заключается в …
94. Когда биполярный транзистор работает в области активного состояния он …
95. … обычно используется для уменьшения скачков напряжения при включении транзистора
96. На пропорциональность между коллекторным и базовым токами указывает …
97. Установите соответствие между областями работы транзистора и его характеристиками:
98. Определите последовательность основных этапов процесса изготовления силового статического индукционного транзистора (СИТ):
99.
100. … — это четырехслойный полупроводниковый прибор, обладающий двумя устойчивыми состояниями (низкой проводимости и высокой проводимости)
101. Прибор, который проводит ток в обоих направлениях, называют симметричным тиристором, или …
102. Управляющий … — это вывод от одной из баз в тринисторе
103. Напряжение … — это напряжение между анодом и катодом, при котором происходит переход тиристора в проводящее состояние
104. … — это прибор, представляющий собой монокристалл полупроводника, в котором созданы четыре чередующиеся области с различным типом проводимости
105. … позволяет полевым тиристорам работать в силовых цепях
106. Основной причиной использования полевых тиристоров в схемах с управлением мощностью можно назвать …
107. Полевые тиристоры наиболее эффективны в …
108. Установите соответствие тиристоров и их характеристик:
109. Расположите факторы воздействия на коэффициент запирания тиристора в хронологической последовательности анализа:
110.
111. … транзистор — полупроводниковый прибор, в котором регулирование тока осуществляется изменением проводимости проводящего канала с помощью поперечного электрического поля
112. МОП-транзистор с … каналом — это полупроводниковый прибор, в котором при нулевом напряжении затвор-исток закрыт
113. МОП-транзистор с … каналом — это полупроводниковый прибор со встроенным каналом в котором при нулевом напряжении затвор-исток открыт
114. Режим в полевых транзисторах, при котором транзистор полностью открыт, и ток через него достигает максимального значения, принято называть режимом …
115. Эффект, из-за которого происходит рассеивание энергии в полевых транзисторах, называется …
116. Работу полевого транзистора определяет …
117. Свойство, которое присуще полевым транзисторам – …
118.
119. Установите соответствие выводов полярного транзистора с его определением:
120. Расположите в правильной последовательности шаги определения основных параметров транзистора:
121. У полевого транзистора с управляющим р-n переходом максимальный ток стока равен 1мА, а напряжение отсечки — 4В. Какой ток будет протекать при обратном напряжении смещения затвор-исток, равном 2В?
122. … транзистор — это полупроводниковый прибор с двумя p-n-переходами, имеющий три электрода
123. … переход — это переход между базой и коллектором
124. Эмиттерный переход — это электронно-дырочный переход между эмиттером и …
125. Полупроводниковый прибор с одним или несколькими электрическими переходами, предназначенный для усиления или генерирования электрических сигналов, а также для коммутации электрических цепей, имеющий три или более выводов, принято называть …
126. … биполярного транзистора — это одна из крайних областей транзистора, предназначенная для инжекции (впрыскивания) неосновных носителей заряда в область базы
128. Транзисторная схема с общей базой применяется для …
129. Транзисторная схема с общим эмиттером применяется для …
130. Установите соответствие режимов биполярного транзистора и их характеристик:
131. Расположите примеры биполярных транзисторов в следующем порядке: 1) классифицированные по роду исходного материала; 2) классифицированные по типу полярности; 3) классифицированные по технологическим особенностям:
132. Полупроводниковый … — это самый простой полупроводниковый прибор, состоящий из одного p-n-перехода
133. Явление возникновения осцилляций тока (~10^9-10^10 Гц) в однородном полупроводнике при приложении к нему сильного электрического поля — это эффект …
134. … диод — это полупроводниковый диод, в котором используется явление туннельного пробоя при включении в прямом направлении
135. Приемник оптического излучения, который преобразует попавший на его фоточувствительную область свет в электрический заряд за счет процессов в p-n-переходе, принято называть …
136. … диоды — это диоды, использующие для преобразования переменного тока в постоянный
137. Говоря о характеристиках диодов Шоттки, можно утверждать, что … (укажите 2 варианта ответа)
138. Функция полупроводникового диода заключается в том, чтобы …
139. В зависимости от конструкции и технологии изготовления выделяют … диоды
140. Установите соответствие разновидностей полупроводниковых диодов и их характеристик:
141. Расположите этапы работы силовых полупроводниковых диодов в хронологической последовательности:
142. … — отрасль науки и техники, связанная с исследованиями, разработкой, изготовлением и применением электронных, ионных и полупроводниковых устройств
143. Область электроники, решающая проблемы конструирования, изготовления и применения интегральных схем и функциональных устройств называется …
144. Приборы, которые преобразуют входные световые сигналы в электрические, принято называть … приборами
145. Приборы, у которых под воздействием входных электрических сигналов на выходах формируются световые сигналы, принято называть … приборами
146. Приборы, у которых тепловые сигналы на входах и электрические на выходах, принято называть … приборами
147. Первая цифровая интегральная микросхема была создана Джеком Килби и Робертом Нойсом в …
148. Электронный диод был изобретен в …
149. Транзистор был изобретен в …
150. Установите соответствие между понятиями электронных приборов и их определением:
151. Установите последовательность электронных приборов согласно хронологии их появления и технологического прогресса в области энергетики и силовой электроники:
152. Корректность работы электрооборудования, особенно в промышленных масштабах, напрямую зависит от соблюдения стандартных значений частоты. Поэтому Россия, как и многие другие страны, строго придерживается стандарта для обеспечения стабильного и безопасного функционирования своей электросети и подключенного к ней оборудования. Какова частота переменного электрического тока, принятая в Российской Федерации?
153. Область электроники, решающая проблемы конструирования, изготовления и применения интегральных схем и функциональных устройств называется … микроэлектроникой
154. Направление электроники, основанное на использовании физических принципов интеграции и динамических неоднородностей, обеспечивающих несхемотехнические принципы работы устройств называется … микроэлектроникой
155. Первый микропроцессор создали в …
156. … считается началом «электронной революции»
157. Основой для создания транзистора стал …
158. Установите соответствие между понятиями электронных приборов и их определениями:
159. Установите соответствие между понятиями электронных приборов и их определениями:
160. Расположите года, когда были изобретены устройства в порядке: 1) диод; 2) транзистор; 3) тиристор:
161. Установите последовательность электронных приборов в развитии энергетической электронике в хронологическом порядке:
162. Функция полупроводникового … — проводить электрический ток в одном направлении и не пропускать его в обратном
163. Полупроводниковый диод, в котором используется явление туннельного пробоя при включении в прямом направлении, — это …
164. … — это самый простой полупроводниковый прибор, состоящий из одного p-n-перехода
165. Установите соответствие принципов классификации полупроводниковых диодов и соответствующих примеров:
166. Расположите определения понятий в порядке: 1) стабилитроны; 2) стабисторы; 3) варикапы:
167. Расположите этапы работы силовых полупроводниковых диодов в хронологическом порядке:
168. Для регулировки и стабилизации напряжения источников питания применяется транзисторная схема с общей …
169. Для усиления сигнала применяется транзисторная схема с общим …
171. … — это одна из крайних областей биполярного транзистора, предназначенная для инжекции (впрыскивания) неосновных носителей заряда в область базы
172. … — это полупроводниковый прибор с двумя p-n-переходами, имеющий три электрода
173. Установите соответствие параметров полевых транзисторов и их характеристик:
174. Расположите определения понятий в порядке: 1) база биполярного транзистора; 2) канал полевого транзистора; 3) коллектор биполярного транзистора:
175. Расположите примеры биполярных транзисторов, классифицированных: 1) по роду исходного материала, 2) по типу полярности; 3) по технологическим особенностям:
176. Режим работы транзистора с встроенным каналом, при котором концентрация носителей в канале больше равновесной называют режимом …
177. Напряжение затвора, при котором появляется заметный ток стока, называют … напряжением
178. … – это вид полевого транзистора, характеризующийся положительным смещением затвора
179. Для N-канального полевого транзистора критическим значение порогового напряжения считается …
180. Структура, в которой используются полевые транзисторы, называется …
181. Установите соответствие выводов полярного транзистора и с его определением:
182. Расположите определения понятий в порядке: 1) МДП-транзистор; 2) МОП-транзистор с индуцированным каналом; 3) МОП-транзистор с собственным каналом»:
183. Расположите шаги определения основных параметров транзистора по заданной схеме:
184. Полупроводниковый прибор, который, с одной стороны, имеет свойства закрытого и открытого состояния, а с другой — позволяет блокировать ток в цепи управления называют … тиристором
185. Электрод, который соединяется с положительным полюсом источника тока называют …
186. Отрицательный электрод, который служит источником электронов называют …
187. Основная причина использования полевых тиристоров в схемах с управлением мощностью — …
188. Установите соответствие между названием полупроводникового прибора и его определением:
189. Расположите название тиристоров в порядке, представленном на рисунке (слева направо):
190. Расположите факторы, воздействующие на коэффициент запирания тиристора, в порядке их анализа:
191. Выходные характеристики биполярного транзистора, определяющие его работу в зависимости от смещения p-n-переходов, называют … работы транзистора
192. При выборе силовых полупроводников для индуктивных нагрузок необходимо учитывать … переключения
193. В биполярном транзисторе, когда базовый ток превышает пороговое значение, устройство становится …
194. Преимущество IGBT, по сравнению с традиционными транзисторами, заключается в …
195. IGBT (изолированный затворный биполярный транзистор) – это …
196. Для управления силовыми тиристорами чаще всего применяются … схемы
197. Установите корреляцию между этапами развития коммерческого применения IGBT-транзисторов (поколениями) и ключевыми характеристиками транзисторов, которые были достигнуты на каждом из этих этапов:
198. Установите соответствие между областями работы транзистора и их характеристиками:
199. Расположите определения понятий транзисторов в порядке: 1) биполярный с изолированным затвором; 2) биполярный со статической индукцией; 3) статический индукционный:
200. Расположите этапы процесса изготовления силового статического индукционного транзистора (СИТ) в хронологическом порядке:
201. Интеллектуальные … интегральные схемы (ИСИС) объединяют управление, обработку сигналов и силовую электронику на одном чипе, обеспечивая компактность, энергоэффективность и повышение производительности устройств
202. Интеллектуальные … модули (ИСИС) — это устройства, объединяющие в одном кристалле или корпусе силовые электронные компоненты, схемы их управления, защиты, диагностики состояния модуля, а также различные интерфейсы
203. Ключевым преимуществом интеллектуальных силовых интегральных схем считается …
204. Для управления инверторами чаще всего применяется … модуляция
205. В интеллектуальных силовых интегральных схемах часто используют …
206. Для управления силовыми устройствами чаще всего используют …
207. Установите соответствие между названием устройства и его определением:
208. Установите соответствие между названием модуляции и его определением:
209. Расположите определения блоков в структурной схеме системы управления электронными аппаратами в порядке: 1) определение вторичного источника питания; 2) определение датчиков; 3) определение формирователей импульсов управления:
210. Определите последовательность основных этапов работы структурной схема системы управления электронного аппарата (СУ):
211. Часть системы управления преобразователем, которая формирует логику входных сигналов силовых ключей, а затем усиливают до требуемого уровня тока и напряжения принято называть … импульсов управления
212. Система управления … преобразователями постоянного напряжения строится на основе широтно-импульсного метода регулирования выходного напряжения и частотно-импульсного метода, который меняет длительность управляющих импульсов при неизменной частоте из следования
213. Ширину импульса определяет … формирователя импульсов
214. Формирователи импульсов чаще всего используют для …
215. Генерировать формирователь импульсов может … сигнал
216. К отличиям импульсных устройств от аналоговых относится то, что …
217. Установите соответствие между устройствами формирователей импульсов управления и их определениями:
218.
219. Устройство, управляющее основными динамическими параметрами, такими как скоростью нарастания тока и напряжения, временем задержки включения, максимальными значениями тока затвора и напряжения на коллекторе и т.д.) во всех режимах работы, называется …
220. Изменение по определённому закону параметров последовательности импульсных сигналов для передачи информации принято называть … модуляцией
221. Система в которой частота генерации импульсов управления становится синхронной по отношению к частоте напряжения сети только в установившемся режиме при замкнутом контуре регулирования фазой импульса управления, называется асинхронной системой с … управлением
222. За фильтрацию сигналов отвечает … системы управления силовыми ключами
223. MOSFET силовой ключ полностью открывается в режиме …
224. Основная функция силового электронного ключа — …
225. Установите соответствие между названиями драйверов и их определениями:
226. Установите соответствие между названиями драйверов и их определениями:
227. Расположите определения систем управления в порядке: 1) асинхронная система следящего типа; 2) синхронная система с фазовым управлением; 3) система фазовой автоподстройки частоты:
228. Для токов менее … А рекомендуется использовать многожильные проводники, что позволяет снизить электромагнитные помехи при монтаже основных узлов силовой схемы
229. При токах от 150 А до … А используют проводники в виде металлических пластин или специальных монтажных плат с проводящими и изолирующими слоями
230. Режим работы полупроводниковых ключей, требующий особых мер защиты, — …
231. Основная цель защиты силовых полупроводниковых ключей — …
232. Установите соответствие между понятиями и их определениями:
233. Установите соответствие между названиями явлений при работе силовых полупроводниковых ключей и их определениями:
234. Расположите определения устройств в следующем порядке: 1) автоматический выключатель; 2) интеллектуальные силовые ключи; 3) плавкий предохранитель:
235. Определите последовательность разработки силовых полупроводниковых ключей для уменьшения паразитных индуктивностей:
236. Полупроводниковое устройство, в основе которого лежат свойства СИТ, представляющего собой полевой транзистор с управляющим p-n-переходом, называют … на статическом индукционном транзисторе
237. Управляемый бесконтактный ключ, основанный на тиристоре, состояние которого определяется наличием или отсутствием управляющего сигнала, называют … ключом
238. Наиболее критичный фактор для надежности силовых полупроводниковых ключей — …
239. … помогает снизить уровень шумов на выходе силовых ключей?
240. … выполняет функции защиты и управления одновременно
241. Установите соответствие между аббревиатурами модификации запираемых тиристоров с управляемым затвором и их определениями:
242. Установите соответствие между названиями полупроводникового ключа и их определениями:
243. Расположите определения преобразователей напряжения в следующем порядке: 1) однотактный; 2) обратноходовым однотактный; 3) прямоходовой однотактный:
244. Расположите действия при выборе приборов для систем управления электродвигателями в хронологической последовательности:
